长江存储首席科学家：我国三维闪存芯片技术实现从落后到赶超 长江存储首席科学家表示，我国三维闪存芯片技术已经实现了从落后到赶超的跨越式发展，随着科技的不断进步和创新，我国在三维闪存芯片领域已经取得了重大突破，不仅在技术性能上有了显著提升，还在产业链整合方面取得了重要进展，这一成就的取得，标志着我国在半导体领域的技术实力不断增强，对于推动国家科技进步和产业升级...
