长江存储首席科学家表示，我国三维闪存芯片技术已经实现了从落后到赶超的跨越式发展，随着科技的不断进步和创新，我国在三维闪存芯片领域已经取得了重大突破，不仅在技术性能上有了显著提升，还在产业链整合方面取得了重要进展，这一成就的取得，标志着我国在半导体领域的技术实力不断增强，对于推动国家科技进步和产业升级具有重要意义。
IT之家 7 月 6 日消息，7 月 3 日上午北京大学举行了 2025 年研究生毕业典礼暨学位授予仪式，校友代表、长江存储科技控股有限责任公司首席科学家、计算机科学技术系微电子专业 1994 级本科、微电子学系 2000 级博士校友霍宗亮作为校友代表发言，为毕业生们送上祝福与宝贵建议。
霍宗亮称，北大与民族复兴紧密相连，应选择与国家同行，与民族命共命运，投身到国家需要的产业中去。
霍宗亮说道，“北大人的血液里流淌着家国天下的基因，投身到国家需要的产业中去，我们更容易实现人生的价值。存储产业在我毕业的那个时代不是一个最热门的产业，但我坚信它一定是国家需要的产业，所以我们所要做的就是沉下心来，不害怕坐冷板凳，不贪图快速的回报，在自主研发的道路上默默奋斗。”
霍宗亮表示，“在长江存储的这十来年里，我们的团队卧薪尝胆，一路披荆斩棘，使我国的三维闪存芯片技术从无到有、从落后到赶超，实现了跨越式的发展。”
IT之家查找公开资料获悉，长江存储成立于 2016 年 7 月，是国内一家专注于 3D NAND 闪存及存储器解决方案的半导体集成电路企业，提供 3D NAND 闪存、嵌入式存储、移动硬盘、固态硬盘等产品，并在 2021 年推出唯一零售存储品牌致态。2020 年 4 月，长江存储宣布第三代 TLC / QLC 两款产品研发成功，其中 X2-6070 型号作为首款第三代 QLC 闪存，拥有发布之时业界最高的 I/O 速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。
